Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 8 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 4 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 8A, 15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | ±300 mA |
| Temperatura de Operação Máxima (Tj) | 150 °C |
| Package | TO-247-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS, controle de motor |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor IKW08T120FKSA1?
O transistor IKW08T120FKSA1 utiliza encapsulamento plástico no formato TO-247-3.
Qual a temperatura máxima de operação do IKW08T120FKSA1?
A temperatura máxima de operação (Tj) do IKW08T120FKSA1 é de 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do IKW08T120FKSA1?
O IKW08T120FKSA1 é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e controle de motor.