Infineon BSP295H6327XTSA1

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Infineon BSP295H6327XTSA1: MOSFET de Canal N de Alta Performance

O Infineon BSP295H6327XTSA1 é um MOSFET de canal N de última geração, projetado para oferecer excelente desempenho e eficiência em uma variedade de aplicações. Com uma tensão de ruptura de 60V e uma corrente de dreno contínua de 1.8A, este transistor de potência é ideal para projetos que exigem alta confiabilidade e baixo consumo de energia.

Especificações Técnicas do BSP295H6327XTSA1

  • Tipo de Canal: N
  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 1.8A
  • Resistência On-State (RDS(on)): 300mΩ
  • Potência Dissipada (PD): 1.8W
  • Tensão Gate-Source (VGS): ±20V
  • Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SOT-223

Características e Benefícios

O MOSFET BSP295H6327XTSA1 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Baixa Resistência On-State: Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas significativas com facilidade.
  • Tempo de Comutação Rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral.
  • Encapsulamento Compacto: Ideal para aplicações com espaço limitado.
  • Alta Confiabilidade: Garante operação estável e duradoura.

Aplicações

Este MOSFET de canal N é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relé
  • Eletrônica automotiva
  • E muito mais!

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Observação: As informações fornecidas aqui são baseadas em dados técnicos disponíveis publicamente. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as especificações mais atualizadas.

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