Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Baixa carga de saída
- RoHS compatível
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1?
O Infineon BSP295H6327XTSA1 opera em temperaturas que variam de -40 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o BSP295H6327XTSA1 suporta entre o Drain e o Source?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima suportada pelo BSP295H6327XTSA1 é de 60 V.
Em quais aplicações o BSP295H6327XTSA1 é tipicamente utilizado?
O Infineon BSP295H6327XTSA1 é projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos, com qualificação AEC-Q101. Ele possui baixa carga de gate e baixa carga de saída.