Descrição
Transistor MOSFET de canal N IRF60B217 da Infineon, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 13A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 70mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id = 250µA |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 15nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 400pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20pF |
FAQ
Qual o tipo de transistor do IRF60B217?
O IRF60B217 é um MOSFET de Canal N.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF60B217?
A temperatura de operação do IRF60B217 varia de -55°C a +175°C.
Qual o encapsulamento do IRF60B217?
O IRF60B217 possui encapsulamento TO-220.