Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal P, 100V, 15A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO220 3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tipo de canal | Canal P |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 15 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.075 Ohm a Vgs = -10V, Id = -15A |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): -2.5 V a -3.5 V |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 60 A |
| Carga de Gate (Qg) | 35 nC a Vgs = -10V |
| Dielétrico de Gate (Rth) | 62 K/W |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor SPP15P10PLHXKSA1?
O transistor SPP15P10PLHXKSA1 possui encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP15P10PLHXKSA1?
A temperatura de operação do SPP15P10PLHXKSA1 é de -55°C a +150°C.
Quais são as principais características elétricas do SPP15P10PLHXKSA1?
O SPP15P10PLHXKSA1 é um transistor MOSFET de canal P com tensão Drain-Source (Vds) de 100V, corrente Drain contínua (Id) de 15A, e resistência Drain-Source (RDS(on)) de 0.075 Ohm a Vgs = -10V, Id = -15A. Utiliza a tecnologia CoolMOS™ P7.