Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 23A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 263.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C6 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 23 A |
| Resistência de Condução (RDS(on)) | 74 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (typ.) |
| Encapsulamento | PG-TO263-3-1 |
| Corrente de Drain Pulsada (Id) | 92 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, PFC, adaptadores |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPP60R074C6XKSA1?
O transistor IPP60R074C6XKSA1 possui encapsulamento PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP60R074C6XKSA1?
A temperatura de operação do IPP60R074C6XKSA1 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPP60R074C6XKSA1?
As aplicações típicas do IPP60R074C6XKSA1 incluem fontes de alimentação chaveadas, PFC e adaptadores.