Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 120A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Package | DirectFET™ |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET IRF8707TRPBF?
O IRF8707TRPBF utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8707TRPBF?
A temperatura de operação do IRF8707TRPBF varia de -55°C a +150°C.
Qual o tipo de canal e a tensão máxima Drain-Source do IRF8707TRPBF?
O IRF8707TRPBF é um MOSFET de canal N-Channel com uma tensão Drain-Source (Vds) de 30V.