Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, encapsulado em TO 247, ideal para aplicações de chaveamento de alta corrente e tensão.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 35 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.05 Ohm @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 250 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFP250MPBF?
O IRFP250MPBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP250MPBF?
A temperatura de operação do IRFP250MPBF varia de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima de dreno-fonte (Vds) do IRFP250MPBF?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima do IRFP250MPBF é 200 V.