Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.1 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, fontes de alimentação chaveadas, controle de motor |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD50P04P4L11ATMA1 suporta?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 40V.
Em qual faixa de temperatura o IPD50P04P4L11ATMA1 pode operar?
A temperatura de operação do IPD50P04P4L11ATMA1 varia de -55 °C a +175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPD50P04P4L11ATMA1?
O IPD50P04P4L11ATMA1 é utilizado em gerenciamento de energia automotiva, fontes de alimentação chaveadas e controle de motor.