Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade com diodo de recuperação rápida, projetado para aplicações de fonte de alimentação e controle de motor.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 45 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 180 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V a 25°C |
| Package | TO-247 |
| Classe de Temperatura | -40°C a 150°C |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, controle de motor |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRG4PC40KDPBF pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) do IRG4PC40KDPBF é de 600 V.
Em quais aplicações o IRG4PC40KDPBF é comumente utilizado?
O IRG4PC40KDPBF é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores e controle de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4PC40KDPBF?
A classe de temperatura do IRG4PC40KDPBF é de -40°C a 150°C.