Infineon BSP125H6433XTMA1

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O Infineon BSP125H6433XTMA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.

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Descrição

O Infineon BSP125H6433XTMA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.

Especificações

Tecnologia CoolMOS™ P7
Tensão Drain Source (Vds): 60 V
Corrente Drain Contínua (Id) 100 A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 1.25 mOhm a 4.5 Vgs
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Package PG-TDSON-8
Temperatura de Operação -40 °C a 175 °C

Recursos

  • Baixa Carga de Gate (Qg)
  • Baixa Carga de Saída (Qoss)
  • Alta Densidade de Corrente
  • Conformidade com RoHS

FAQ

Qual a temperatura de operação do BSP125H6433XTMA1?

O Infineon BSP125H6433XTMA1 opera em temperaturas entre -40 °C e 175 °C.

Qual a tensão máxima entre o Gate e Source do BSP125H6433XTMA1?

A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do BSP125H6433XTMA1 é ±20 V.

Quais as aplicações típicas do BSP125H6433XTMA1?

O BSP125H6433XTMA1 é projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.

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