Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 60A, com baixa resistência Rds(on) e tecnologia CoolMOS C7.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 60 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)) a 10V: 70 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs) Máxima: ±20 V |
| Package | TO-247 |
| Corrente Drain Pulsada (Id) | 240 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC, inversores solares, carregadores de veículos elétricos. |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPW60R070CFD7XKSA1 pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 600 V, conforme especificado.
Em quais faixas de temperatura o IPW60R070CFD7XKSA1 pode operar?
O MOSFET IPW60R070CFD7XKSA1 pode operar em temperaturas que variam de -55°C a 150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do IPW60R070CFD7XKSA1?
Este MOSFET é comumente utilizado em fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.