Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4. |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V. |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 90 A. |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6 mOhm a 10V Vgs. |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V. |
| Package | PG-TDSON-8. |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C. |
| AEC | Q101 qualificado. |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg).
- Baixa capacitância de saída (Coss).
- Excelente performance térmica.
- Ideal para aplicações automotivas de alta corrente.
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET IPD90N10S4L06ATMA1?
O IPD90N10S4L06ATMA1 opera em temperaturas entre -40 °C e 175 °C.
Quais as características elétricas principais do IPD90N10S4L06ATMA1?
O IPD90N10S4L06ATMA1 possui tensão Drain-Source (Vds) de 100 V, corrente Drain contínua (Id) de 90 A e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 6 mOhm a 10V Vgs.
Em quais aplicações o IPD90N10S4L06ATMA1 é recomendado?
Este MOSFET é otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva de alta corrente, devido à sua baixa carga de gate (Qg), baixa capacitância de saída (Coss) e excelente performance térmica. Além disso, é qualificado pela AEC-Q101.