Infineon IHW20N135R5XKSA1: Transistor IGBT de Alta Potência
O IHW20N135R5XKSA1 da Infineon é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência projetado para aplicações exigentes, como conversores de energia, inversores solares e drivers de motor. Com tecnologia de ponta e recursos avançados, este componente oferece desempenho excepcional, eficiência energética e confiabilidade superior.
Especificações Técnicas do IHW20N135R5XKSA1:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Tensão Coletor-Emissor (VCE): 1350V
- Corrente de Coletor (IC): 40A
- Dissipação de Potência (PC): 288W
- Encapsulamento: TO-247-3
- Configuração: Canal N, único
- Temperatura de Junção Máxima (Tj): 175°C
- Recursos Adicionais:
- Baixas perdas de comutação
- Perdas de condução muito baixas
- Pico de corrente de ativação reduzido
- Formas de onda de desligamento de corrente suave para baixo EMI
Aplicações do Transistor IHW20N135R5XKSA1
O IHW20N135R5XKSA1 da Infineon é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de energia
- Inversores solares
- Drivers de motor
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do IHW20N135R5XKSA1
Este transistor IGBT oferece uma série de benefícios significativos para seus projetos:
- Alta Eficiência: Perdas de comutação e condução reduzidas, resultando em maior eficiência energética.
- Confiabilidade: Construção robusta e recursos de proteção integrados garantem operação confiável em ambientes desafiadores.
- Desempenho Aprimorado: Otimizado para fornecer excelente desempenho em aplicações de alta potência.
- Fácil Integração: Encapsulamento padrão TO-247-3 para fácil integração em seus projetos.
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são apenas para fins informativos. Consulte a folha de dados oficial do fabricante para obter especificações detalhadas e diretrizes de aplicação.
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