Infineon IHW20N135R5XKSA1

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Transistor IGBT de alta performance da série TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência em fontes de alimentação chaveadas e inversores solares.

SKU: IHW20N135R5XKSA1 Categoria: Tag:

Descrição

Transistor IGBT de alta performance da série TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência em fontes de alimentação chaveadas e inversores solares.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ 5 IGBT
Tensão Coletor Emissor (Vces): 1350 V
Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C 40 A
Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C 20 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)) a 20A, 15V: 1.5 V
Corrente de Pico (Icm) 80 A
Package TO-247-3
Temperatura de Operação -40°C a +175°C

Recursos

  • Baixa perda de condução e chaveamento
  • Alta densidade de potência
  • Diodo de Ruptura Rápido Integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual o encapsulamento do Infineon IHW20N135R5XKSA1?

O componente é encapsulado em um TO-247-3.

Qual a faixa de temperatura de operação do IHW20N135R5XKSA1?

A temperatura de operação do IHW20N135R5XKSA1 varia de -40°C a +175°C.

Quais são algumas das aplicações típicas do IHW20N135R5XKSA1?

O IHW20N135R5XKSA1 é projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência em fontes de alimentação chaveadas e inversores solares.

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