Descrição
O IRF7341GTRPBF é um MOSFET de canal duplo N e P em um único encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | Canal Duplo N-Channel e P-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V (N-Channel), -30V (P-Channel) |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 11A (N-Channel), -9.5A (P-Channel) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±12V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 12mΩ @ Vgs=10V (N-Channel), 16mΩ @ Vgs=-10V (P-Channel) |
| Encapsulamento | SO-8 (PowerPAK SO-8) |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7341GTRPBF?
O IRF7341GTRPBF possui encapsulamento SO-8 (PowerPAK SO-8).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7341GTRPBF?
A temperatura de operação do IRF7341GTRPBF varia de -55°C a +175°C.
O IRF7341GTRPBF é compatível com RoHS?
Sim, o IRF7341GTRPBF é RoHS Compliant.