Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 120A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO252 3.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 12.2 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 |
| Tipo de Canal | N |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| RoHS | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPD122N10N3GATMA1?
O transistor IPD122N10N3GATMA1 possui encapsulamento PG-TO252-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD122N10N3GATMA1?
A temperatura de operação do IPD122N10N3GATMA1 varia de -55°C a 175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao Gate do IPD122N10N3GATMA1?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IPD122N10N3GATMA1 é ±20 V.