Infineon BSS192PH6327FTSA1: MOSFET Canal P de Alta Qualidade
Procurando por um MOSFET Canal P confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSS192PH6327FTSA1, um componente eletrônico de alta performance que oferece excelente desempenho e durabilidade.
Especificações Técnicas do BSS192PH6327FTSA1:
- Tipo de Canal: P-Channel
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): -250V
- Corrente de Dreno (ID): -190mA
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 7.7Ω @ 10V, 0.19A
- Potência Dissipada (PD): 1W
- Tensão de Threshold da Porta (VGS(th)): 2V @ 130µA
- Encapsulamento: PG-SOT89-4 (SOT-89)
Características Principais:
O MOSFET BSS192PH6327FTSA1 da Infineon é fabricado com tecnologia de ponta, proporcionando:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor perda de potência e maior eficiência energética.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para aplicações de comutação de média potência.
- Excelente estabilidade térmica, garantindo operação confiável em uma ampla faixa de temperaturas.
- Encapsulamento compacto SOT-89, facilitando a integração em projetos com espaço limitado.
Aplicações:
Este MOSFET Canal P é uma escolha versátil para diversas aplicações, como:
- Circuitos de comutação
- Controle de motores
- Fontes de alimentação
- Conversores DC-DC
- Aplicações industriais e automotivas
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