Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de sinal e baixa potência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 0.3 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (máx.) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 2.5 Ohm (máx.) @ Vgs = 10 V |
| Tecnologia | CoolMOS™ |
| Encapsulamento | PG-SOT-23 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Gate Charge (Qg) | 1.5 nC (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 15 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 5 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 2 pF (típico) |
FAQ
Qual o encapsulamento do BSS192PH6327FTSA1?
O BSS192PH6327FTSA1 é encapsulado em PG-SOT-23.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSS192PH6327FTSA1?
A temperatura de operação do BSS192PH6327FTSA1 varia de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do BSS192PH6327FTSA1?
A tensão de dreno-fonte (Vds) é de 60 V e a corrente de dreno contínua (Id) é de 0.3 A.