Descrição
O Infineon BSS138NH6433XTMA1 é um transistor de efeito de campo (FET) de canal N, projetado para aplicações de comutação de sinal e baixo nível de potência.
Especificações
| Tipo de Transistor | FET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 50 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 200 mA |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1.5 V (máx.) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 5 Ohm (máx.) @ Vgs = 10 V |
| Encapsulamento | PG-SOT-23 |
| Tecnologia | CMOS |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V (máx.) |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 mW |
| Aplicações | Comutação de sinal, drivers de LED, circuitos lógicos |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSS138NH6433XTMA1?
O Infineon BSS138NH6433XTMA1 possui encapsulamento PG-SOT-23.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSS138NH6433XTMA1?
A temperatura de operação do BSS138NH6433XTMA1 é de -55 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do Infineon BSS138NH6433XTMA1?
O Infineon BSS138NH6433XTMA1 é adequado para aplicações como comutação de sinal, drivers de LED e circuitos lógicos.