Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em sistemas de potência automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 80 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TO262-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 320 A |
| Carga de Gate (Qg) | 55 nC a Vgs=10V |
| Tempo de Comutação | Típico baixo |
| Aplicações | Eletrônica automotiva, fontes de alimentação, gerenciamento de bateria |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPP80N06S2L07AKSA2 pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 60V, conforme especificado.
Em quais faixas de temperatura o IPP80N06S2L07AKSA2 pode operar?
O IPP80N06S2L07AKSA2 pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do IPP80N06S2L07AKSA2?
Este MOSFET é comumente usado em eletrônica automotiva, fontes de alimentação e gerenciamento de bateria, de acordo com as informações fornecidas.