Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 23A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 23 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)) a 10V: 99 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)) a 1mA: 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 92 A |
| Potência Dissipada (Ptot) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Plástico |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor IPW60R099P7XKSA1?
O transistor IPW60R099P7XKSA1 possui encapsulamento em plástico, no package TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPW60R099P7XKSA1?
O IPW60R099P7XKSA1 pode operar em temperaturas que variam de -55°C a 150°C.
O IPW60R099P7XKSA1 possui alguma proteção ambiental?
Sim, o IPW60R099P7XKSA1 é RoHS e Halogen Free.