Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série TRENCHSTOP™ D, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ D IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30 A, Vge=15V: 1.5 V |
| Corrente de Pico Coletor (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 230 W |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +175°C |
| Resistência Térmica Junção | Caso (RthJC): 0.54 K/W |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon IKW30N60DTPXKSA1?
O Infineon IKW30N60DTPXKSA1 possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKW30N60DTPXKSA1?
A faixa de temperatura de operação do IKW30N60DTPXKSA1 é de -40°C a +175°C.
Qual a tensão Gate: Emissor (Vge) e a corrente de coletor contínua (Ic) do IKW30N60DTPXKSA1?
A tensão Gate: Emissor (Vge) é ±20 V. A corrente de coletor contínua (Ic) é de 30 A a 25°C e 15 A a 100°C.