Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 120A, com encapsulamento TO 220AB. Projetado para aplicações de alta corrente e comutação.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 120 A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 480 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5 mΩ a Vgs=10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 175 nC a Vgs=10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 300 pF |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFB4610PBF?
O IRFB4610PBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB4610PBF?
A temperatura de operação do IRFB4610PBF é de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRFB4610PBF?
O IRFB4610PBF é um MOSFET de canal N com tecnologia OptiMOS™ 3, tensão Drain-Source (Vds) de 100V, corrente contínua Drain (Id) de 120A, corrente pulsada Drain (Idm) de 480A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 4.5 mΩ.