Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em servidores e telecomunicações.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
| AEC | Q101: Qualificado |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF8714TRPBF?
O IRF8714TRPBF é encapsulado em Tape & Reel, no formato PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8714TRPBF?
O IRF8714TRPBF opera em temperaturas de -55 °C a 175 °C.
Quais são as especificações de tensão e corrente do IRF8714TRPBF?
O IRF8714TRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain: Source (Vds) de 100 V, corrente Drain contínua (Id) de 75 A e resistência Drain: Source (Rds(on)) de 4.2 mOhm a 10V Vgs. A tensão Gate: Source (Vgs) é de ±20 V e a tensão de limiar Gate: Source (Vgs(th)) é de 2.0 V.