Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família IRG8P, projetado para aplicações de alta tensão e corrente, com diodo de roda livre integrado.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 150 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 60 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 150A, Vge=15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Tecnologia | Trench Field-Stop IGBT |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Dissipação de Potência Máxima (Pd) a 25°C | 417 W |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, controle de motores industriais |
Recursos
- Diodo de Roda Livre Integrado (Fast Body Diode)
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRG8P60N120KDPBF suporta?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG8P60N120KDPBF?
A temperatura de operação do IRG8P60N120KDPBF varia de -40°C a +175°C.
Quais as aplicações típicas do IRG8P60N120KDPBF?
O IRG8P60N120KDPBF é utilizado em fontes de alimentação, inversores solares e controle de motores industriais.