Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 35 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 26 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a +175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de comutação (Qoss)
- Baixa carga de recuperação reversa (Qrr)
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1 suporta?
A tensão Drain:Source (Vds) máxima é de 100 V.
Em qual faixa de temperatura o IPD35N10S3L26ATMA1 pode operar?
O IPD35N10S3L26ATMA1 pode operar em temperaturas de -55 °C a +175 °C.
Quais são algumas das características de performance do IPD35N10S3L26ATMA1?
Ele possui baixa carga de gate (Qg), baixa carga de comutação (Qoss) e baixa carga de recuperação reversa (Qrr).