Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| RDS(on) @ Vgs=10V, Id=100A | 7.2 mOhm |
| RDS(on) @ Vgs=10V, Id=50A | 7.8 mOhm |
| Tensão Gate | Source (Vgs) Max: ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| AEC Qualified | Sim |
| RoHS Compliant | Sim |
| Tipo de Canal | N |
| Montagem | SMD |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSZ100N06LS3GATMA1 pode suportar?
O MOSFET BSZ100N06LS3GATMA1 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 60 V e uma tensão Gate-Source (Vgs) máxima de ±20 V.
Quais as temperaturas de operação do BSZ100N06LS3GATMA1 e sua conformidade com padrões?
O BSZ100N06LS3GATMA1 opera em temperaturas de -55 °C a 175 °C. Ele é qualificado pela AEC e está em conformidade com RoHS.
Em quais aplicações o BSZ100N06LS3GATMA1 é tipicamente usado?
O BSZ100N06LS3GATMA1 é um transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva. Ele utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3 e é montado em um package PG-TDSON-8.