Infineon SPD04N60C3ATMA1

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Infineon SPD04N60C3ATMA1: MOSFET de Potência de 650V

O Infineon SPD04N60C3ATMA1 é um MOSFET de potência CoolMOS™ de 650V, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Com baixa resistência de estado (RDS(on)) e capacitância de saída, este transistor N-Channel oferece alta eficiência e desempenho confiável em conversores AC-DC, fontes de alimentação chaveadas e outras aplicações de eletrônica de potência.

Características Principais do SPD04N60C3ATMA1:

  • Tecnologia CoolMOS™ para alta eficiência energética
  • Tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 650V
  • Corrente de dreno contínua (ID) de 2.8A
  • Baixa resistência de estado (RDS(on))
  • Baixa capacitância de saída (Coss)
  • Alta velocidade de comutação
  • Encapsulamento PG-TO252-3

Aplicações do MOSFET Infineon:

O SPD04N60C3ATMA1 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores AC-DC
  • Controladores de motor
  • Iluminação LED
  • Aplicações industriais
  • Eletrônica de consumo

Benefícios do SPD04N60C3ATMA1:

Utilizar o transistor SPD04N60C3ATMA1 da Infineon em seus projetos oferece uma série de vantagens, como:

  • Alta eficiência, reduzindo perdas de energia
  • Confiabilidade e robustez
  • Excelente desempenho em altas frequências
  • Redução de tamanho e peso do projeto
  • Custo-benefício

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