Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 4A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 4 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.33 Ohm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 125 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO252-3 |
| Encapsulamento | Superfície |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC, eletrônica de potência. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor Infineon SPD04N60C3ATMA1?
O transistor SPD04N60C3ATMA1 possui encapsulamento para montagem em superfície (Surface Mount) e o package é PG-TO252-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPD04N60C3ATMA1?
A temperatura de operação do SPD04N60C3ATMA1 varia de -55°C a 150°C.
Quais são as aplicações típicas do MOSFET SPD04N60C3ATMA1?
O SPD04N60C3ATMA1 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC e eletrônica de potência.