Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id, pulse) | 800 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC a 10V Vgs |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4300 pF a 25V Vds |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF a 25V Vds |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 400 pF a 25V Vds |
| Corrente de Drain Máxima (Idm) | 800 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V a 1mA |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFB7546PBF pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 60 V. A tensão Gate-Source (Vgs) máxima é de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB7546PBF?
O IRFB7546PBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características de corrente do IRFB7546PBF?
A corrente Drain contínua (Id) é de 120 A, a corrente de Drain pulsada (Id, pulse) e máxima (Idm) é de 800 A.