Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TDSON 8.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
|---|---|
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 1.4 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
Recursos
- Tecnologia OptiMOS™ 5
- Baixa carga de gate
- Alta eficiência
- RoHS compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor BSC014N06NSATMA1?
O transistor BSC014N06NSATMA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET?
O BSC014N06NSATMA1 opera em temperaturas que variam de -55°C a 175°C.
Quais são algumas das principais características do BSC014N06NSATMA1?
O BSC014N06NSATMA1 utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5, possui baixa carga de gate, alta eficiência e é RoHS compliant.