Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.42 Ω (máx. a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Corrente Gate (Ig) | 100 nA (máx. a Vgs=0V) |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC, eletrônica de potência. |
FAQ
Qual o encapsulamento do SPP11N60S5?
O SPP11N60S5 é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP11N60S5?
A temperatura de operação do SPP11N60S5 varia de -55°C a +150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do SPP11N60S5?
O SPP11N60S5 é comumente utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC e eletrônica de potência.