Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 18A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e tecnologia CoolMOS P7.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 18 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 80 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Drain Pulsada (Id) | 72 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Encapsulamento | Superfície (SMD) |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPB60R080P7ATMA1?
O transistor IPB60R080P7ATMA1 possui encapsulamento para montagem em superfície (SMD) no package PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB60R080P7ATMA1?
O IPB60R080P7ATMA1 pode operar em temperaturas de -55 °C a 150 °C.
O IPB60R080P7ATMA1 possui diodo de recuperação rápida integrado?
Sim, o IPB60R080P7ATMA1 integra um diodo de recuperação rápida.