Descrição
O Infineon AUIRF7342QTR é um MOSFET de canal N automotivo de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| RDS(on) (max) @ Vgs=10V | 3.2 mOhm |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Qualificação Automotiva | Sim (AEC-Q101) |
| Tipo de Canal | N |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
| Corrente Drain Pulsada (Id, pulse) | 400 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)) @ Id=250uA: 2 V |
FAQ
Qual o encapsulamento do AUIRF7342QTR?
O AUIRF7342QTR utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8 e é fornecido em Tape & Reel.
Qual a faixa de temperatura de operação do AUIRF7342QTR?
O AUIRF7342QTR opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source e qual a tecnologia do AUIRF7342QTR?
A tensão Gate-Source máxima do AUIRF7342QTR é ±20 V. Ele utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5.