Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 10.9 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a +150 °C |
| RoHS | Sim |
| AEC Q101 | Qualificado |
| Eficiência energética | Alta |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotivo, fontes de alimentação |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET BSC109N10NS3GATMA1?
O BSC109N10NS3GATMA1 utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSC109N10NS3GATMA1?
O BSC109N10NS3GATMA1 opera em temperaturas entre -55 °C e +150 °C.
Quais as aplicações típicas do BSC109N10NS3GATMA1?
O BSC109N10NS3GATMA1 é projetado para aplicações como gerenciamento de energia automotivo e fontes de alimentação.