Infineon ITS428L2ATMA1

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O Infineon ITS428L2ATMA1 é um MOSFET de canal N de alta lateralidade, projetado para aplicações automotivas.

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Descrição

O Infineon ITS428L2ATMA1 é um MOSFET de canal N de alta lateralidade, projetado para aplicações automotivas.

Especificações

Tipo de transistor MOSFET de canal N
Tensão de dreno fonte (Vds): 42 V
Corrente de dreno contínua (Id) 15 A
Resistência em estado ligado (RDS(on)) 4.2 mOhm
Tensão de limiar gate source (Vgs(th)): 2.5 V
Tensão de gate source máxima (Vgs): ±20 V
Tecnologia OptiMOS™
Package PG-TDSON-8
Faixa de temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Controle de carga automotiva, relés de estado sólido

Recursos

  • Proteção contra sobretemperatura integrada
  • Proteção contra sobrecorrente integrada
  • Baixa resistência térmica

FAQ

Qual o tipo de transistor e a tecnologia utilizada no ITS428L2ATMA1?

O ITS428L2ATMA1 é um MOSFET de canal N, utilizando a tecnologia OptiMOS™.

Quais as proteções integradas no ITS428L2ATMA1?

O ITS428L2ATMA1 possui proteção integrada contra sobretemperatura e sobrecorrente.

Quais as aplicações típicas do ITS428L2ATMA1?

O ITS428L2ATMA1 é tipicamente utilizado em controle de carga automotiva e relés de estado sólido.

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