Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 15 mOhm a 10Vgs |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 240 A |
| Carga de Gate (Qg) | 70 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1800 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 300 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 100 pF |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF3415STRLPBF pode suportar?
O IRF3415STRLPBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 150 V.
Em qual faixa de temperatura o IRF3415STRLPBF pode operar?
O IRF3415STRLPBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais as dimensões do encapsulamento do IRF3415STRLPBF?
O IRF3415STRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).