Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 200V, 500A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e tecnologia OptiMOS™ 3. Ideal para aplicações de alta corrente e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 500 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.5 mOhm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id pulse) | 2000 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Encapsulamento | SMD |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSC500N20NS3GATMA1?
O BSC500N20NS3GATMA1 possui encapsulamento SMD (Surface Mount Device) e o package é PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSC500N20NS3GATMA1?
A temperatura de operação do BSC500N20NS3GATMA1 varia de -55°C a +175°C.
O BSC500N20NS3GATMA1 está em conformidade com as diretivas RoHS e é Halogen Free?
Sim, o BSC500N20NS3GATMA1 é RoHS e Halogen Free.