Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 13A, com baixa resistência Rds(on) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS E6 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 13 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)) a 10V: 0.6 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) a 25°C | 156 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | TO-252 (DPAK) |
| Encapsulamento | Automotive AEC-Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate para comutação rápida
- Baixa energia de avalanche para maior robustez
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e qualificação do IPD60R600E6ATMA1?
O IPD60R600E6ATMA1 é encapsulado em TO-252 (DPAK) e possui qualificação Automotive AEC-Q101.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD60R600E6ATMA1?
A temperatura de operação do IPD60R600E6ATMA1 varia de -55°C a 150°C.
Quais as características do IPD60R600E6ATMA1 que o tornam adequado para aplicações específicas?
O IPD60R600E6ATMA1 possui baixa carga de gate para comutação rápida e baixa energia de avalanche para maior robustez, sendo ideal para aplicações que demandam alta eficiência.