Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 115 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.3 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Package | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 460 A |
| Carga de Gate (Qg) | 70 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2400 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200 pF |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFB3307PBF pode suportar?
O transistor IRFB3307PBF possui uma tensão Drain: Source (Vds) de 75 V.
Em quais temperaturas o IRFB3307PBF pode operar?
O IRFB3307PBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais as características de corrente do IRFB3307PBF?
O IRFB3307PBF tem uma corrente Drain Contínua (Id) de 115 A, corrente pulsada Drain (Id,pulse) de 460 A.