Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 9.3 mΩ a 10 Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Baixa carga de saída
- RoHS compatível
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET BSC093N04LSGATMA1?
O MOSFET BSC093N04LSGATMA1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSC093N04LSGATMA1 suporta no terminal Drain-Source?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do BSC093N04LSGATMA1 é de 40 V.
O BSC093N04LSGATMA1 é adequado para aplicações automotivas?
Sim, o BSC093N04LSGATMA1 é otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva, possui qualificação AEC-Q101 e é compatível com RoHS.