Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 48 A |
| RDS(on) (max) @ Vgs=10V | 12 mΩ |
| RDS(on) (max) @ Vgs=4.5V | 14 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs) (max): ±20 V |
| Package | DPAK (TO-252) |
| RoHS | Sim |
| AEC | Q101 qualificado: Sim |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) (max) | 25 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (typ) | 750 pF |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRFR5410TRLPBF?
O IRFR5410TRLPBF opera em temperaturas entre -55°C e +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRFR5410TRLPBF pode suportar no Gate?
A tensão máxima Gate: Source (Vgs) do IRFR5410TRLPBF é ±20 V.
Quais são as principais aplicações do IRFR5410TRLPBF?
O IRFR5410TRLPBF é projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo e utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5.