Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, 800V, 2A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO252 3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 2 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.85 Ohm (Vgs=10V, Id=1A) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (Id=1mA) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 6 A |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 25 W |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Carga de Gate (Qg) | 6.5 nC (Vgs=10V) |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor SPD02N80C3ATMA1?
O transistor SPD02N80C3ATMA1 possui encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK).
Qual a faixa de temperatura de operação do SPD02N80C3ATMA1?
A temperatura de operação do SPD02N80C3ATMA1 varia de -55°C a 150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source e a tensão de limiar do Gate-Source do SPD02N80C3ATMA1?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima é ±30 V, e a tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) é 2.5 V (Id=1mA).