Infineon SPD02N80C3ATMA1 – Eficiência e Confiabilidade em Semicondutores
O Infineon SPD02N80C3ATMA1 é um transistor MOSFET de potência amplamente reconhecido por sua alta eficiência e desempenho confiável em aplicações industriais e comerciais. Desenvolvido pela Infineon Technologies, este componente oferece uma combinação ideal de robustez, baixa resistência e facilidade de integração em circuitos eletrônicos, sendo uma solução versátil para diversas demandas em sistemas de energia.
Especificações Técnicas
- Tipo: MOSFET de canal N
- Tensão Máxima de Operação (Vds): 800V
- Corrente de Dreno (Id): 2A
- Resistência Rds(on): 4,1Ω (máximo)
- Temperatura de Operação: -55°C a 150°C
- Encapsulamento: TO-220
Graças ao encapsulamento TO-220, o SPD02N80C3ATMA1 apresenta excelente dissipação térmica, garantindo maior estabilidade mesmo em condições operacionais extremas. Este MOSFET é ideal para fontes de alimentação comutada (SMPS), inversores e controladores de motores, proporcionando alta eficiência energética e desempenho consistente.
Vantagens do Infineon SPD02N80C3ATMA1
- Baixa resistência Rds(on), reduzindo as perdas de energia.
- Capacidade de suportar altas tensões, garantindo confiabilidade em sistemas complexos.
- Temperatura de operação ampla, ideal para ambientes industriais exigentes.
- Design compacto e compatível com diversas aplicações.
Além disso, o design inovador do SPD02N80C3ATMA1 permite que os engenheiros integrem este componente de maneira eficiente, otimizando o espaço em placas de circuito impresso (PCBs). Sua versatilidade e durabilidade o tornam uma escolha popular em projetos de alta demanda.
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Aplicações Comuns
- Fontes de alimentação de alta eficiência
- Drivers de motores elétricos
- Sistemas de iluminação LED
- Conversores de energia em painéis solares
- Automação industrial
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