Descrição
Transistor IGBT de alta eficiência da série H3, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30 A, 15 V: 1.5 V |
| Corrente de Pico (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Package | TO-247 |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.4 K/W |
| Tempo de Comutação (t_on/t_off) | 15 ns / 75 ns |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS, controle de motor. |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IGP30N60H3XKSA1 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) do IGP30N60H3XKSA1 é de 600 V.
Em quais temperaturas o IGP30N60H3XKSA1 pode operar?
O IGBT IGP30N60H3XKSA1 opera em temperaturas de -40°C a 150°C.
Quais são as aplicações típicas do IGP30N60H3XKSA1?
As aplicações típicas do IGP30N60H3XKSA1 incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS e controle de motor.