Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | CoolGaN™ |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 2 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 6 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Package | PG-TO247-3 |
| Resistência Térmica (RthJC) | 1.5 K/W |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, drives de motor |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo SGP02N120XKSA1?
O transistor SGP02N120XKSA1 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o SGP02N120XKSA1 é tipicamente utilizado?
O SGP02N120XKSA1 é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e drives de motor.
Qual a temperatura de operação do SGP02N120XKSA1?
A temperatura de operação do SGP02N120XKSA1 varia de -40°C a +150°C.