Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.6 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2.5 V a 1 mA |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| AEC Q101 | Sim |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 400 A |
| Carga de Gate (Qg) | 58 nC a Vgs=10V |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IPP060N06NAKSA1?
O IPP060N06NAKSA1 opera em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão de acionamento (Vgs) para o transistor atingir a resistência Rds(on) especificada?
A resistência Drain:Source (Rds(on)) de 5.6 mOhm é medida com uma tensão Gate:Source (Vgs) de 10V.
O IPP060N06NAKSA1 atende a padrões de qualidade automotiva?
Sim, o IPP060N06NAKSA1 é qualificado AEC Q101 e está em conformidade com RoHS.