Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em servidores e telecomunicações.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.7 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2.5 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 800 A |
| Carga de Gate (Qg) | 65 nC |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFS4227TRLPBF?
O IRFS4227TRLPBF utiliza o encapsulamento D2PAK (TO-263) e é livre de halogênio.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFS4227TRLPBF?
O IRFS4227TRLPBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais as principais características elétricas do IRFS4227TRLPBF?
O IRFS4227TRLPBF é um MOSFET de canal N OptiMOS™ 5 com tensão Drain-Source de 100V, corrente contínua Drain de 120A, resistência Drain-Source de 3.7 mOhm (a 10V Vgs), tensão Gate-Source Threshold de 2.5V, corrente pulsada Drain de 800A e carga de Gate de 65 nC. É também RoHS Compliant.