Descrição
O Infineon T130N12E0F é um transistor de potência IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 130 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 80 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 300 mA |
| Potência de Dissipação (Pd) a 25°C | 400 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247-3 |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT |
| Aplicações | Inversores, fontes de alimentação chaveadas, controle de motores |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon T130N-12-E0F?
O Infineon T130N-12-E0F possui encapsulamento TO-247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do transistor?
O transistor Infineon T130N-12-E0F opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon T130N-12-E0F?
O Infineon T130N-12-E0F é utilizado em inversores, fontes de alimentação chaveadas e controle de motores.