Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 160 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 160A, Vge=15V: Máx. 2.4 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.2 A |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 10.5 nF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 1.2 nF |
| Capacitância Reverse Transfer (Cres) | 0.6 nF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada por este IGBT?
O Infineon T160N18BOF suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1800 V.
Quais as temperaturas de operação do T160N18BOF?
A faixa de temperatura de operação do T160N18BOF (Tj) é de -40°C a +150°C.
Qual o package e as correntes suportadas pelo T160N18BOF?
O T160N18BOF vem em um package TO-247. A corrente contínua de coletor (Ic) é de 160 A a 25°C e 100 A a 100°C.