Descrição
MOSFET de canal N de 55V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) em encapsulamento SOT 223.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.015 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V @ Id = 250 uA |
| Encapsulamento | SOT-223 |
| RoHS Compliant | Sim |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 44 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 16 nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 580 pF @ Vds = 25V |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7105TRPBF?
O IRF7105TRPBF utiliza o encapsulamento SOT-223.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7105TRPBF?
O IRF7105TRPBF pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de dreno-fonte máxima do IRF7105TRPBF e qual a corrente contínua máxima?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima é de 55 V e a corrente de dreno contínua (Id) máxima é de 11 A.