Infineon BSP742RXUMA1

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O Infineon BSP742RXUMA1 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais, oferecendo baixo RDS(on) e excelente desempenho térmico.

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Descrição

O Infineon BSP742RXUMA1 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais, oferecendo baixo RDS(on) e excelente desempenho térmico.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal N
Tensão Drain Source (Vds): 60 V
Corrente Contínua de Drain (Id) 15 A
Resistência Drain Source (RDS(on)): 4.5 mΩ (típico a Vgs=10V)
Tensão de Gate Source (Vgs): ±20 V
Tecnologia OptiMOS™
Encapsulamento PG-TDSON-8
Faixa de Temperatura de Operação -40 °C a +150 °C

Recursos

  • Proteção contra sobrecorrente integrada
  • Proteção contra sobretemperatura integrada
  • Driver de gate integrado
  • Baixa carga de gate

FAQ

Qual o encapsulamento do MOSFET BSP742RXUMA1?

O Infineon BSP742RXUMA1 é encapsulado em PG-TDSON-8.

Qual a faixa de temperatura de operação do BSP742RXUMA1?

A faixa de temperatura de operação do BSP742RXUMA1 é de -40 °C a +150 °C.

Quais as proteções integradas no BSP742RXUMA1?

O BSP742RXUMA1 possui proteção contra sobrecorrente e sobretemperatura integradas.

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