Descrição
Transistor MOSFET de canal P de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): -30 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | -100 A |
| RDS(on) máximo a 10Vgs | 7.7 mOhm |
| Tensão Gate | Source (Vgs) máxima: -20 V |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Certificação | AEC Q101 |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Montagem | SMD |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSC080P03LS pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de -30 V e a tensão Gate-Source (Vgs) máxima é de -20 V.
Em quais temperaturas o BSC080P03LS pode operar?
O BSC080P03LS opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais as aplicações típicas e certificações do BSC080P03LS?
O BSC080P03LS é projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo e possui certificação AEC Q101.