Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 2, projetado para aplicações de comutação eficientes.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 25 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 40 mΩ a VGS = 10 V |
| Tensão Gate | Source (VGS): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (VGS(th)): 2 V |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| Corrente de Drain pulsada (Id,pulse) | 100 A |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 750 pF |
| Capacitância de saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de transferência (Crss) | 30 pF |
| Tempo de subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de descida (tf) | 5 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IPD25N06S2-40?
O IPD25N06S2-40 é encapsulado em PG-TO252-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD25N06S2-40?
A temperatura de operação do IPD25N06S2-40 varia de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão Drain-Source e a corrente contínua do IPD25N06S2-40?
A tensão Drain-Source (Vds) é 60 V e a corrente Drain contínua (Id) é 25 A.